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可膨脹石墨生產工藝:使用光子刺激解吸光譜表征 F+ 輻照石墨表面

發布時間:2022-04-11 08:36:48 點擊量: 1029次

使用偏振相關近邊 X 射線吸收精細結構光譜研究了 F+ 輻照石墨最頂層的取向性質,結合了部分電子產額 檢測和光子刺激離子解吸技術。天源達可膨脹石墨膨脹倍率高,足阻燃效果好。

在 PEY 模式下進行的氟 K 邊緣 NEXAFS 光譜顯示對偏振角沒有顯著依賴性。相比之下,以 F+ 離子產額模式記錄的 NEXAFS 光譜顯示在 ~689.4 eV 的特征下產率提高,指定為與CF 位點相關的 σ*(CF) 狀態:此外,產率取決于極化角。該特征處的 F+ 離子產率在垂直入射時大于掠入射,這表明 CF 鍵更喜歡在最頂層相對向下傾斜,而隨機指向更深的區域。我們得出結論,表面和塊體之間取向結構的差異反映在兩種不同檢測模式下記錄的 NEXAFS 光譜中。還發現 H+- 和 F2+-PSID NEXAFS 光譜有助于理解解吸機制,從而有助于分析 NEXAFS 數據。

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