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使用偏振相關近邊 X 射線吸收精細結構光譜研究了 F+ 輻照石墨最頂層的取向性質，結合了部分電子產額 檢測和光子刺激離子解吸技術。天源達可膨脹石墨膨脹倍率高，足阻燃效果好。
在 PEY 模式下進行的氟 K 邊緣 NEXAFS 光譜顯示對偏振角沒有顯著依賴性。相比之下，以 F+ 離子產額模式記錄的 NEXAFS 光譜顯示在 ～689.4 eV 的特征下產率提高，指定為與CF 位點相關的 σ*(CF) 狀態：此外，產率取決于極化角。該特征處的 F+ 離子產率在垂直入射時大于掠入射，這表明 CF 鍵更喜歡在最頂層相對向下傾斜，而隨機指向更深的區域。我們得出結論，表面和塊體之間取向結構的差異反映在兩種不同檢測模式下記錄的 NEXAFS 光譜中。還發現 H+- 和 F2+-PSID NEXAFS 光譜有助于理解解吸機制，從而有助于分析 NEXAFS 數據。
